FKM Kompass
L3

Õhukeste kilede sadestamine ja kasv

Õhuke kile ehitatakse alusele aatomhaaval, kas füüsikaliselt — aurustades või sadestuspihustades ainet, mis lendab läbi vaakumi pinnale — või keemiliselt gaasist, mis kuumal alusel reageerib ja jätab järele tahke aine. Kumb võimalus on kasutatav, sõltub vaakumist: füüsikaline sadestamine vajab vaba tee pikkust, mis ületab kauguse allikast aluseni, et aatomid jõuaksid kohale sirgjooneliselt. Kile määrab aga see, mis juhtub pärast maandumist: saabuvad aatomid difundeeruvad mööda pinda ja kas märgavad seda kihthaaval, tõmbuvad saarteks kokku või teevad esmalt üht ja siis teist, ning just see kasvurežiim otsustab, kas tulemuseks on peegel, kare hall kate või epitaksiaalne monokristall.

Practise this concept

Peaaegu iga optiline kate, kõvakate, päikesepatarei ja integraalskeem on kihtide virn paksusega mõnest nanomeetrist mõne mikromeetrini ning kõik need valmistatakse ainet pinnale aatomhaaval toimetades. Kaks peret erinevad selle poolest, kuidas aine kohale toimetatakse. Füüsikaline aursadestus muudab tahke lähteaine auruks — kuumutades seda aurustumiseni või lüües sadestuspihustamisel aatomeid sellelt energiliste ioonidega — ja laseb aurul liikuda läbi vaakumi aluseni. Keemiline aursadestus juhib selle asemel reageeriva gaasi üle kuuma aluse, kus see laguneb ja jätab järele tahke aine, kõrvalsaadused aga pumbatakse välja.

Vaakum ei ole ainult saaste eemalhoidmiseks. Füüsikalisel sadestamisel peavad saabuvad aatomid jõudma aluseni teel põrkumata, nii et vaba tee pikkus peab ületama kauguse allikast aluseni; kõrgemal rõhul saabub voog sirge asemel igast suunast, mis muudab nii astmete kaetust kui ka kile tihedust. Keemiline sadestamine on vastupidine juhtum: see just tuginebki gaasifaasilisele transpordile, seega töötab rõhkudel, kus aurustamine hajuks kasutuks, ja katab just seetõttu ka keerulisi kujundeid ühtlaselt.

Kile iseloomu otsustab see, mis juhtub pärast aatomi maandumist. Ta difundeerub mööda pinda, kuni leiab astme, defekti või teise aatomi, millega siduda, ja kasvurežiimi määrab võistlus selle vahel, kui tugevalt ta seondub alusega ja kui tugevalt omasugustega: kihthaaval märgamine, kui võidab alus, üksikud saared, mis alles hiljem kokku sulanduvad, kui võidavad omasugused, ning vahepealsel juhul esmalt kihid ja siis saared. Just seepärast võib ülimalt õhuke metallikile olla optiliselt nähtav, kuid elektriliselt katkendlik. Kui alus on kristalne, võrekonstandid sobivad hästi kokku ja aatomid on piisavalt liikuvad, et leida võrekohad enne mattumist, kasvab kile alusega pidevaks monokristalliks — epitaksia — ja allesjäänud mittevastavus salvestub elastse pingena, kuni see kriitilisel paksusel dislokatsioonideks vabaneb.

Key ideas

Requires: Vaba tee pikkus ja vaakumi režiimid, Kristallstruktuur ja kristallvõred

Formulas

t=mρAt = \frac{m}{\rho A}
SymbolNameUnit
ttpaksusm (meeter)
mmmasskg (kilogramm)
rhorhotiheduskg/m^3 (kilogramm kuupmeetri kohta)
AApindalam^2 (ruutmeeter)

Common misconceptions

  • Eeldus, et kile katab aluse esimesest monokihist peale ühtlaselt, nii et paksus on lihtsalt ühtlaselt laialijaotatud sadestatud kogus. Kas nii läheb, sõltub sellest, millega saabuvad aatomid eelistavad siduda — kas iseendaga või alusega: kui nad eelistavad teineteist, tekitavad nad saarekesed, mis sulanduvad pidevaks kileks alles kümnete nanomeetrite järel, ja just seepärast võib väga õhuke metallikiht olla elektriliselt katkendlik ka siis, kui keskmine paksus on alusel juba mõni nanomeeter.
  • Vaakuminõude käsitlemine üksnes kile puhtana hoidmise küsimusena. Puhtus on oluline, kuid rangem piirang on geomeetriline: füüsikalisel sadestamisel peavad aatomid jõudma aluseni põrkumata, nii et vaba tee pikkus peab ületama kauguse allikast aluseni. Liiga kõrge rõhu korral saabub voog ühe suuna asemel igast suunast, mis muudab astmete kaetust ja kile struktuuri — ja just seepärast töötab keemiline aursadestus, mis tugineb gaasifaasilisele transpordile, rõhkudel, kus aurustamine ei töötaks.
  • Ootus, et kristalsele alusele kasvatatud kile pärib selle kristallstruktuuri iseenesest. Epitaksia nõuab enamat kui kristalset pinda all: võred peavad piisavalt hästi kokku sobima ja saabuvad aatomid peavad olema piisavalt liikuvad — piisavalt kuumad ja saabuma piisavalt aeglaselt —, et jõuda leida võrekohad enne mattumist. Kui kas või üks tingimus jääb täitmata, annavad samad ained polükristalse või amorfse kile, ning väike, kuid nullist erinev võrede mittevastavus salvestab elastse pinge, mis lõpuks vabaneb dislokatsioonideks.

Resources

Kuulub nende TÜ ainete hulka

See mõiste on kaardistatud järgmis(t)e Tartu Ülikooli õppekava aine(te) osaliseks kattmiseks.